Ce travail pr???sente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T ??? extr???mit??? unique. Ce transistor est une cellule ??? haute densit??? ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est tr???s faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de pr???charge est n???cessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est ???galement ???conome en ???nergie. Les r???sultats montrent ???galement que ...
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Ce travail pr???sente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T ??? extr???mit??? unique. Ce transistor est une cellule ??? haute densit??? ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est tr???s faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de pr???charge est n???cessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est ???galement ???conome en ???nergie. Les r???sultats montrent ???galement que les donn???es stock???es dans cette cellule sont tr???s stables. Il est toujours possible d'am???liorer tout type de circuit ou d'application. La configuration propos???e peut ???tre am???lior???e ??? l'aide de diverses techniques. Nous pouvons modifier le rapport d'aspect de la cellule pour obtenir de meilleurs r???sultats. Nous pouvons appliquer le gating d'horloge pour un circuit ???conome en ???nergie. Nous pouvons am???liorer le circuit p???riph???rique pour de meilleures performances.
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