La croissance d'un semi-conducteur sur un autre, connue sous le nom de processus d'h�t�ro�pitaxie, a permis la production d'une large gamme de dispositifs dits h�t�ro�pitaxi�s, tels que les diodes �lectroluminescentes � haute luminosit�, les lasers et les transistors � haute fr�quence. Le d�veloppement de dispositifs utilisant d'autres mat�riaux est bas� sur le choix du substrat et est repr�sent� par la combinaison couche �pitaxiale/substrat. Cette combinaison, qui utilise le processus de ...
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La croissance d'un semi-conducteur sur un autre, connue sous le nom de processus d'h�t�ro�pitaxie, a permis la production d'une large gamme de dispositifs dits h�t�ro�pitaxi�s, tels que les diodes �lectroluminescentes � haute luminosit�, les lasers et les transistors � haute fr�quence. Le d�veloppement de dispositifs utilisant d'autres mat�riaux est bas� sur le choix du substrat et est repr�sent� par la combinaison couche �pitaxiale/substrat. Cette combinaison, qui utilise le processus de croissance, n�cessite la r�alisation d'un maximum de compatibilit� chimique et cristallographique dans laquelle l'orientation cristallographique de la couche est exactement d�termin�e par le cristal du substrat. La structure de surface du cristal de substrat peut avoir un effet important sur les propri�t�s du cristal �pitaxi�. Par ailleurs, l'homo�pitaxie est un autre processus qui diff�re de l'h�t�ro�pitaxie, si le substrat et la couche ont la m�me composition chimique, on parle d'homo�pitaxie, comme GaAs/GaAs, et on parle d'h�t�ro�pitaxie, si la couche/le substrat ont une composition chimique diff�rente, comme InP/GaAs. Ces mat�riaux sont utilis�s pour produire des diodes �lectroluminescentes de haute qualit� et des transistors � haute mobilit�.
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